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NAND闪存
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TH58NVG3S0HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥66.0824
66.0824
10
¥60.8618
608.618
25
¥59.551
1488.775
50
¥59.325
2966.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
FBGA-63
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58NVG3S0HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S34MS01G204BHA010
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
210:¥35.1204
420:¥32.431
630:¥28.2726
1,050:¥26.3516
2,520:¥25.3572
参考库存:30812
S34MS01G100BHI000
Cypress / Spansion
NAND闪存
NAND闪存 1G, 1.8V, 45ns NAND闪存
1:¥41.8778
10:¥38.2618
25:¥37.8098
50:¥37.2674
参考库存:3382
S34ML01G100TFA000
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥53.0987
10:¥47.4826
25:¥42.7253
100:¥38.8833
参考库存:3156
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Micron
NAND闪存
NAND闪存 SLC 2G 2GX1 SOIC
1:¥18.8258
10:¥17.1308
25:¥16.5997
100:¥15.2098
参考库存:30819
MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR
Micron
NAND闪存
NAND闪存
1,000:¥1,801.898
参考库存:30822
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