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NAND闪存

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TH58NVG2S3HBAI4

  • Toshiba Memory
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  • NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥37.4256
374.256
25
¥36.725
918.125
50
¥36.499
1824.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58NVG2S3HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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