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射频晶体管
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D1202UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-400MHz SE
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¥439.683
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
87 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1202UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85006TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
1:¥116.0284
10:¥106.6494
25:¥102.2763
100:¥90.061
600:¥80.1396
参考库存:17532
D1002UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
1:¥499.3809
10:¥439.1406
25:¥390.3472
50:¥350.1644
参考库存:17535
PTVA102001EA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:17538
SD2931-11W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:17541
D1203UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE
50:¥445.1296
100:¥438.2931
参考库存:17544
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