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射频晶体管

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MMRF1306HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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1
¥1,342.6208
1342.6208
5
¥1,312.6532
6563.266
10
¥1,285.8383
12858.383
25
¥1,266.8656
31671.64
50
¥1,220.8294
61041.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
零件号别名
935315328178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MMRF1306HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:3212
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,046.8659
50:¥1,046.8659
参考库存:2931
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
1:¥962.2628
2:¥935.6852
5:¥914.2378
10:¥887.502
参考库存:2923
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
150:¥851.6923
参考库存:16386
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
1:¥751.9585
10:¥661.2082
25:¥587.7469
50:¥527.2015
参考库存:16389
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