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射频晶体管

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MRFE6VP5300GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
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数量单价合计
1
¥513.7545
513.7545
5
¥498.7707
2493.8535
10
¥488.0922
4880.922
25
¥467.5714
11689.285
500
¥402.0992
201049.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
935320438528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP5300GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LET9045STR
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:18394
TGF2080
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
100:¥74.8399
300:¥69.9244
500:¥65.3931
1,000:¥61.0878
参考库存:18397
PD57006S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥124.4017
10:¥114.4125
25:¥109.6552
100:¥96.5924
250:¥91.8238
参考库存:18400
MHT2000NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
500:¥312.8179
参考库存:18403
MMRF1315NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1315N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
500:¥214.1576
参考库存:18406
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