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射频晶体管
BFP196WNH6327XTSA1参考图片

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BFP196WNH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.147
21.47
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.64523
1935.69
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.5 GHz
输出功率
-
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
196 BFP H6327 SP001643166 WN
单位重量
6.740 mg
商品其它信息
优势价格，BFP196WNH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1312HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:14712
BLF861A
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥866.5292
25:¥807.3624
100:¥784.2313
参考库存:1244
D5017UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE
50:¥390.5054
100:¥383.0474
参考库存:14717
BFU550XRR
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.62263
参考库存:5988
BLF177
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:1315
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