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射频晶体管
BFR 460L3 E6327参考图片

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BFR 460L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
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库存:78,805(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.95259
952.59
15,000
¥0.70738
10610.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR460L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 20 mA at 3 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
22000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR460L3E6327XTMA1 BFR46L3E6327XT SP000014238
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 460L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:6668
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H455W23N/FM6F///REEL 13
150:¥1,042.1086
参考库存:14751
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:1653
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
600:¥66.6926
参考库存:14756
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥329.3385
参考库存:14759
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