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射频晶体管
BFR 460L3 E6327参考图片

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BFR 460L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.95259
952.59
15,000
¥0.70738
10610.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR460L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 20 mA at 3 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
22000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR460L3E6327XTMA1 BFR46L3E6327XT SP000014238
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 460L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFIC10275GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥1,609.9562
参考库存:17052
SRF4427
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥23.4362
10:¥18.8258
100:¥17.1308
250:¥15.4471
参考库存:17055
BFP 420 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:22361
PXAC213308FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:17060
CGHV40180F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:3603
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