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射频晶体管
QPD1014SR参考图片

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QPD1014SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
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库存：3,845(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
200
¥315.044
63008.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
1 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
15.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1014
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1014EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1014
商品其它信息
优势价格，QPD1014SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
OPT3101EVM
Texas Instruments
射频晶体管
光学传感器开发工具 OPT3101EVM
1:¥1,185.3361
参考库存:1720
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:3894
BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:11439
A2T18S165-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥637.772
参考库存:15132
MW6S004NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1:¥85.1342
10:¥78.0717
25:¥70.9979
100:¥63.8563
1,000:¥47.9459
参考库存:2262
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