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射频晶体管
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TGF2954

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
输出功率
44.5 dBm
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112246
商品其它信息
优势价格，TGF2954的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8P20140WHR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
250:¥700.0124
参考库存:18426
VRF141MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:4939
MRF6V14300HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,305.2791
5:¥2,269.7745
10:¥2,236.044
25:¥2,187.793
50:¥2,154.1303
参考库存:18431
AFT09H310-03SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
150:¥1,030.3453
参考库存:18434
BFG35,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:9607
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