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射频晶体管
55GN01CA-TB-E参考图片

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55GN01CA-TB-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2374
22.374
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.56048
1681.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
55GN01CA
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
+ 25 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
5.5 GHz
工作温度范围
+ 25 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
增益带宽产品fT
4.5 GHz
最大直流电集电极电流
70 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
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1:¥2,663.9637
参考库存:3603
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1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:9778
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1:¥47.6408
10:¥40.4992
100:¥35.1204
250:¥33.2672
3,000:¥23.9786
参考库存:6564
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射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
1:¥2,893.252
参考库存:17069
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,502.107
5:¥10,423.8884
参考库存:3572
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