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射频晶体管
BFP 720FESD H6327参考图片

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BFP 720FESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3674
33.674
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.356
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP720
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
4.9 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
43 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP720FESDH6327XTSA1 BFP72FESDH6327XT SP000853562
商品其它信息
优势价格,BFP 720FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥636.8454
10:¥584.3682
25:¥524.433
50:¥464.4978
参考库存:16077
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:16080
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:16083
射频晶体管
射频开发工具 LimeSDR Mini
暂无价格
参考库存:16086
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,581.6723
参考库存:2592
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