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射频晶体管
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STAC9200

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
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1
¥1,281.1488
1281.1488
5
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6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
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30056.0225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
3 A
增益
18 dB
输出功率
230 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC244B
工作频率
1.3 GHz
系列
STAC9200
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC9200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD55035STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥181.8057
参考库存:17871
D2213UK
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
1:¥1,009.3725
10:¥891.2649
25:¥790.9887
50:¥749.6533
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ARF461BG
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1:¥337.0225
2:¥327.8808
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10:¥309.6652
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1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:17879
MRF587
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥537.88
25:¥484.092
50:¥430.3831
参考库存:4413
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