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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	700 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113818

商品其它信息

优势价格，TGF2936的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PD57060-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	1:¥415.5462 5:¥406.2576 10:¥390.3472 25:¥377.7477	参考库存:3932
BFR 360F H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.0792 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.63054	参考库存:18189
BFU550XVL	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.3787 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 10,000:¥1.04525	参考库存:12493
A2T18S260W12NR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	250:¥1,369.2097	参考库存:15996
CGH40045F	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt	1:¥1,281.8494	参考库存:2617