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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	700 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113818

商品其它信息

优势价格，TGF2936的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MHT1004NR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP	250:¥841.7822	参考库存:17687
BFP193WH6327XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.0736 10:¥1.9888 100:¥0.85315 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:9809
D5002UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-50V-175MHz SE	100:¥395.3418	参考库存:17692
AFT27S010NT1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W	1:¥123.5542 10:¥113.565 25:¥108.5704 100:¥95.9709 1,000:¥75.9925	参考库存:7125
AFT26HW050SR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4	1:¥607.262 5:¥589.5888 10:¥576.9893 25:¥552.7056 250:¥490.081	参考库存:17697