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射频晶体管
CGH40010F参考图片

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CGH40010F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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1
¥429.3774
429.3774
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
5.21 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGH40010-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH40010F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:18028
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
1,000:¥61.5511
参考库存:5018
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:4544
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:5347
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:18037
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