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射频晶体管

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PH3135-20M

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25
¥1,301.7487
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
2.4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
封装 / 箱体
Ceramic-2
封装
Reel
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，PH3135-20M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
500:¥312.8179
参考库存:18403
MMRF1315NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1315N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
500:¥214.1576
参考库存:18406
PTRA093818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:18409
PTFB182503FL-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥823.8039
参考库存:18412
AFT18S230-12NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
250:¥847.5452
参考库存:18415
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