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射频晶体管
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TGF2957

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
输出功率
48.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
68 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112250
商品其它信息
优势价格，TGF2957的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU1215S
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5:¥324.4908
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TGF2819-FL
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
暂无价格
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10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:6573
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