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射频晶体管

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MRF6S20010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
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数量单价合计
1
¥297.4499
297.4499
5
¥282.387
1411.935
10
¥277.5506
2775.506
25
¥251.5719
6289.2975
500
¥214.6096
107304.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRF6S20010N
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935313769528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，MRF6S20010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1203UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE
50:¥445.1296
100:¥438.2931
参考库存:17544
BFP 183 E7764
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.6442
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:18529
DU1215S
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥360.5378
5:¥324.4908
参考库存:4058
TGF2819-FL
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
暂无价格
参考库存:17551
ARF460BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:4085
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