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射频晶体管
PTVA120252MT-V1-R1K参考图片

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PTVA120252MT-V1-R1K

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1,000
¥145.996
145996
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
19.5 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SON-16
封装
Reel
工作频率
500 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA120252MT-V1-R1K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFC261402FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥646.5295
参考库存:16839
MRF9045LR1
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3351
BLV31
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:3345
SD1458
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥734.8164
10:¥674.271
25:¥605.115
50:¥535.959
参考库存:16846
SD2941-10W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
1:¥607.9626
5:¥596.7417
10:¥581.2946
25:¥569.9268
参考库存:3389
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