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射频晶体管
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MRF392

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
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数量单价合计
1
¥748.7267
748.7267
10
¥701.9334
7019.334
25
¥685.4919
17137.2975
50
¥669.1182
33455.91
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
16 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
744A-01
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF392的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1535FNT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
500:¥145.996
参考库存:17840
MRF6VP3091NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
500:¥451.2768
参考库存:17843
RFM04U6P(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
1:¥23.1311
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:4798
PD84010-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
参考库存:17848
AFT27S012NT1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:17851
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