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晶体管
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MJE181STU

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库存:10,437(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
2,500
¥1.1413
2853.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE181
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,MJE181STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:8397
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:4422
晶体管
IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:5063
晶体管
MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:11964
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5553
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