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晶体管
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MJE181STU

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
2,500
¥1.1413
2853.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE181
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF360N65S3R0L
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8817
参考库存:29243
A2T23H160-24SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥700.0124
参考库存:29246
DMS935E20R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥2.3165
参考库存:29249
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥635.0826
48:¥613.8725
72:¥605.4201
120:¥571.6105
参考库存:29252
DMP1022UWS-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥2.147
9,000:¥2.0679
24,000:¥1.9775
45,000:¥1.9549
参考库存:29255
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