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晶体管
IKW50N65EH5XKSA1参考图片

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IKW50N65EH5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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库存:3,825(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8044
42.8044
10
¥36.3408
363.408
100
¥31.5044
3150.44
250
¥29.8885
7472.125
500
¥26.8149
13407.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
275 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65EH5 SP001257944
单位重量
6.049 g
商品其它信息
优势价格,IKW50N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:8397
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:4422
晶体管
IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:5063
晶体管
MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:11964
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5553
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