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晶体管
2N5884G参考图片

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2N5884G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 80V 200W PNP
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库存:3,707(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
50
¥42.8722
2143.61
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5884
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.021 g
商品其它信息
优势价格,2N5884G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8532
参考库存:7382
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.8419
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:63741
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
参考库存:7385
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2885
参考库存:10388
晶体管
MOSFET
1:¥661.4342
2:¥641.5349
5:¥633.704
10:¥621.4096
参考库存:4393
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