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晶体管
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2DB1689-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT PNP SMT 3K
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数量单价合计
1
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2.6103
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB16
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 200 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
2.15 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 200 mA, 2 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，2DB1689-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5304DCP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
5,000:¥1.9662
10,000:¥1.808
25,000:¥1.7289
参考库存:29776
CZTA64 TR
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达林顿晶体管 . .
4,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:29779
PTRA094808NF-V1-R5
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500:¥853.9975
参考库存:29782
CWDM305PD TR13
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晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual P-Ch Enh Mode
5,000:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:29785
PXAC200902FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥408.8679
参考库存:29788
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