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晶体管
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IPW65R190CFDA

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库存：3,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.499
36.499
10
¥30.962
309.62
100
¥26.894
2689.4
250
¥25.5154
6378.85
500
¥22.8938
11446.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW65R190CFDAFKSA1 IPW65R19CFDAXK SP000928268
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R190CFDA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM3415
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9,000:¥0.43053
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暂无价格
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140:¥102.8074
250:¥93.7448
500:¥87.6767
1,000:¥80.456
参考库存:36246
JAN2N5109UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,378.5096
参考库存:36249
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