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晶体管
IPW65R080CFDFKSA1参考图片

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IPW65R080CFDFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2
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库存:2,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.5511
61.5511
10
¥55.6299
556.299
25
¥53.0196
1325.49
100
¥46.0249
4602.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
43.3 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
167 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
391 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPW65R080CFD IPW65R8CFDXK SP000745036
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R080CFDFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z10PBF
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥16.2946
250:¥15.8313
参考库存:42279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 32V 2A
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:42282
晶体管
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥1.9323
2,500:¥1.3334
5,000:查看
参考库存:42285
晶体管
MOSFET 30V, 73A, Single N- Channel Power MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.6104
100:¥3.4465
500:¥2.5312
2,500:¥1.7289
5,000:查看
参考库存:42288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:42291
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