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晶体管
IHW25N120R2参考图片

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IHW25N120R2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
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库存:2,730(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.0356
34.0356
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.0521
2505.21
250
¥23.8204
5955.1
500
¥21.357
10678.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
365 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N12R2XK SP000212016
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IHW25N120R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:6309
晶体管
MOSFET 50V N-CH Logic Level
1:¥3.3787
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.54579
参考库存:130020
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥67.009
10:¥60.3194
25:¥54.9406
50:¥51.1777
参考库存:1152
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
2,500:¥0.25312
10,000:¥0.2147
参考库存:9451
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 90V 30W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6557
参考库存:1258
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