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晶体管
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FP50R12KT4

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库存:2,340(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥797.7574
797.7574
5
¥783.0787
3915.3935
10
¥747.8792
7478.792
25
¥722.9062
18072.655
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R12KT4BOSA1 SP000372915
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FP50R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
参考库存:2987
晶体管
MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:5076
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.4071
500:¥5.6613
1,000:¥4.4748
参考库存:3055
晶体管
MOSFET 30V P-Ch PowerTrench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.2826
1,000:¥1.7628
4,000:¥1.5029
参考库存:9395
晶体管
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:2476
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