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晶体管
SI1965DH-T1-E3参考图片

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SI1965DH-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6
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库存:3,925(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SI1965DH-E3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SI1965DH-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5205
800:¥14.5205
参考库存:7731
晶体管
MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3845
100:¥4.9042
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:9629
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:12250
晶体管
MOSFET Nch Small Signal MOSFET
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.31527
24,000:查看
参考库存:89729
晶体管
MOSFET 60V, 36A, N Chan Logic Lvl PowerTrnch
1:¥7.9891
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
2,500:¥3.2544
10,000:查看
参考库存:7830
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