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晶体管
STGF19NC60HD参考图片

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STGF19NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
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库存:2,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.7632
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V/1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
35 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
9 A/16 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF19NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:5824
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
参考库存:4485
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
参考库存:3192
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:7294
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:3482
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