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晶体管
IGW40N65H5FKSA1参考图片

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IGW40N65H5FKSA1

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库存:1,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N65H5 SP001001742
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N65H5FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:8769
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 250W NPN
1:¥54.1722
10:¥48.9516
50:¥46.7142
100:¥40.567
参考库存:4514
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:22926
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW
1:¥20.5886
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:5268
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
1:¥2.8476
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43844
参考库存:127518
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