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晶体管
IPW65R190CFDAFKSA1参考图片

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IPW65R190CFDAFKSA1

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库存:1,699(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.499
36.499
10
¥30.962
309.62
100
¥26.894
2689.4
250
¥25.5154
6378.85
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW65R190CFDA IPW65R19CFDAXK SP000928268
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R190CFDAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:9087
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:6223
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:11319
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
5,000:¥6.2489
10,000:查看
参考库存:14103
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,000:¥2.2939
参考库存:8005
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