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晶体管
IKZ75N65EH5XKSA1参考图片

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IKZ75N65EH5XKSA1

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库存:1,232(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.3929
61.3929
10
¥55.5508
555.508
25
¥52.9405
1323.5125
100
¥45.9458
4594.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ75N65EH5 SP001160046
商品其它信息
优势价格,IKZ75N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 10A
1:¥263.403
5:¥260.6458
10:¥242.9726
25:¥232.0568
参考库存:2874
晶体管
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:3861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:6197
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥127.3284
10:¥115.7233
25:¥107.0336
50:¥101.2028
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4847
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