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晶体管
MMDT3946LP4-7参考图片

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MMDT3946LP4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR COMP.
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库存:4,321(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1310H4-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V, 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V, 6 V
集电极—射极饱和电压
- 400 mV, 300 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA, 200 mA
增益带宽产品fT
300 MHz, 250 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMDT39
高度
0.35 mm
长度
1.3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MMDT3946LP4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:69295
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3841
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
5,000:¥7.5032
参考库存:2191
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
1:¥3.7629
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
参考库存:8059
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:2541
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