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晶体管
IRGB4630DPBF参考图片

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IRGB4630DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
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库存:1,352(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.657
32.657
10
¥27.7415
277.415
100
¥24.0464
2404.64
250
¥22.826
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
47 A
Pd-功率耗散
206 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001537630
单位重量
3.175 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4630DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.006
2,500:¥5.4014
5,000:查看
参考库存:18012
晶体管
MOSFET PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220
3,000:¥1.2317
9,000:¥1.1413
24,000:¥1.08367
45,000:¥1.05994
参考库存:18015
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 300MW 22KW 22KW
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:18018
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
5,000:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.4069
参考库存:18021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:48824
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