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晶体管
IRGB4630DPBF参考图片

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IRGB4630DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
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数量单价合计
1
¥32.657
32.657
10
¥27.7415
277.415
100
¥24.0464
2404.64
250
¥22.826
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
47 A
Pd-功率耗散
206 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001537630
单位重量
3.175 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4630DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:18536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMSTA56/8/SOT323/SC-70
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.13786
参考库存:18539
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5342
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:14344
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:18546
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