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晶体管
IPP052NE7N3 G参考图片

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IPP052NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:1,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
1,000
¥8.6784
8678.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
103 S, 52 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP52NE7N3GXK SP000641726
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP052NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5205
800:¥14.5205
参考库存:7731
晶体管
MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3845
100:¥4.9042
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:9629
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:12250
晶体管
MOSFET Nch Small Signal MOSFET
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.31527
24,000:查看
参考库存:89729
晶体管
MOSFET 60V, 36A, N Chan Logic Lvl PowerTrnch
1:¥7.9891
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
2,500:¥3.2544
10,000:查看
参考库存:7830
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