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晶体管
DMT6010LFG-7参考图片

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DMT6010LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
2,000
¥2.4634
4926.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMT60
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，DMT6010LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor
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15,000:¥4.3844
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10:¥20.1366
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1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
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PTFB092707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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250:¥848.0085
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