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晶体管
DSS2515M-7B参考图片

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DSS2515M-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
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1
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3.5369
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
10,000
¥0.67574
6757.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1006-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
250 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSS25
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
90 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，DSS2515M-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EMG8T2R
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QS6M3TR
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2N5582
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1:¥137.7696
10:¥125.2492
25:¥115.8024
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2SK4150TZ-E
Renesas Electronics
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2,500:¥1.7854
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FZ2400R17HP4_B9
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参考库存:4614
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