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晶体管

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DMC4029SK4-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.729
37.29
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.9323
4830.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
8.3 A, 6.1 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms, 33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.1 nC, 21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.8 ns, 25.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.1 ns, 19.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.1 ns, 34.9 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns, 8.7 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVDTA144EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 BR XSTR PNP
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:106916
DMC3025LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:4918
MZ0912B100Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:22533
J500-11
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -50V 20mA 50mA Current Reg
1:¥77.066
10:¥63.167
100:¥52.4094
500:¥47.799
参考库存:22536
2N4903
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥356.3794
2:¥346.7066
5:¥337.1016
10:¥327.4966
参考库存:2026
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