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晶体管
PBSS302ND,115参考图片

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PBSS302ND,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 4A LOW SAT
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-74-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 500 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
PBSS302ND T/R
单位重量
11.800 mg
商品其它信息
优势价格，PBSS302ND,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM2301ACX RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P Channel Mosfet
15,000:¥0.59212
24,000:¥0.5537
45,000:¥0.52206
参考库存:28138
APTGL475U120D4G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,252.0287
5:¥1,221.1458
10:¥1,191.7884
25:¥1,148.4529
参考库存:28141
2N5192 SL H
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28144
AUIRLS3034
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
3,000:¥20.0575
参考库存:28147
APTGT100DU170TG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥747.1899
参考库存:28150
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