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晶体管
DMN2022UFDF-7参考图片

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DMN2022UFDF-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
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数量单价合计
1
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3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-F-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.9 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.03 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2022
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
239 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
632 ns
典型接通延迟时间
56 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2712-GR(TE85L,F
Toshiba
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150mA 50V
暂无价格
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500:¥4.5765
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10,000:查看
参考库存:27567
NVMFS5C673NLAFT3G
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5,000:¥2.3165
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5,000:¥8.9948
参考库存:27575
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