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晶体管
BSO615CGHUMA1参考图片

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BSO615CGHUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3392
2169.6
2,500
¥3.0397
7599.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.1 A, 2 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.5 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO615
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.25 S, 1.2 S
下降时间
18 ns, 90 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns, 105 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 125 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 24 ns
零件号别名
BSO615C BSO615CGXT G SP000216311
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO615CGHUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC5114E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.842
10:¥2.1809
100:¥1.1978
500:¥0.96841
3,000:¥0.59212
9,000:查看
参考库存:4642
BLV20
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:1182
DCX144EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:6883
DTC144EKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:17700
BD13516S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.616
10:¥2.9832
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:4324
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