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晶体管
PBSS3515M,315参考图片

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PBSS3515M,315

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9323
19.323
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.5537
553.7
10,000
¥0.36838
3683.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 15 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
280 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
0.47 mm
长度
1.02 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.62 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
PBSS3515M T/R
商品其它信息
优势价格，PBSS3515M,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:31180
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:31183
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:31186
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:31189
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:31192
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