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晶体管
BSS123NH6327XTSA1参考图片

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BSS123NH6327XTSA1

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库存：162,145(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.8758
18.758
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.62263
622.63
3,000
¥0.46895
1406.85
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS123
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
零件号别名
BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS123NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NX138BKSF
Nexperia
晶体管
MOSFET NX138BKS/SC-88/REEL 13" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:18761
SISS28DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
3,000:¥2.8702
6,000:查看
参考库存:7564
SQC40016E_DFFR
Vishay
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs
1:¥14.5996
10:¥12.1362
100:¥9.4468
500:¥8.2264
参考库存:18766
NVMFD5853NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:18769
DMPH3010LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2,500:¥3.2883
参考库存:18772
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