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晶体管
DMN2400UFB-7参考图片

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DMN2400UFB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
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库存:11,354(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.56839
568.39
3,000
¥0.44522
1335.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
750 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
470 uW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN24
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.82 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.8 ns
典型接通延迟时间
4.11 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2400UFB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:2694
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:36661
晶体管
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm
3,000:¥5.1076
6,000:¥4.859
参考库存:36664
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥272.6238
250:¥254.4195
参考库存:36667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥149.5329
250:¥137.2385
500:¥130.628
参考库存:36670
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