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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
晶体管极性	PNP
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	60 V
集电极—基极电压 VCBO	60 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
最大直流电集电极电流	3 A
增益带宽产品fT	110 MHz
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值	180 at 500 mA, 2 V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min	180 at 500 mA, 2 V, 160 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V, 95 at 3 A, 2 V, 60 at 4 A, 2 V, 35 at 5 A, 2 V, 20 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散	2500 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PBSS303PD T/R
单位重量	20 mg

商品其它信息

优势价格，PBSS303PD,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD86311W1723	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET	1:¥8.2942 10:¥7.0738 100:¥5.424 500:¥4.7912 3,000:¥3.3561 9,000:查看	参考库存:3186
TIP31BG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 40W NPN	1:¥4.8364 10:¥3.9776 100:¥2.5651 1,000:¥2.0566	参考库存:2963
FQB50N06LTM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level	1:¥8.4524 10:¥7.232 100:¥5.5596 500:¥4.9155 800:¥3.8759	参考库存:4329
IRFD024PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024	1:¥9.5259 10:¥7.8422 100:¥5.989 500:¥5.1528	参考库存:5039
TP2540N3-G	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 400V 25Ohm	1:¥10.3734 10:¥10.2152 25:¥8.6106 100:¥7.8422	参考库存:2947