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晶体管
SIA923AEDJ-T1-GE3参考图片

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SIA923AEDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
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库存：7,771(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥3.9324
39.324
100
¥2.9267
292.67
500
¥2.3956
1197.8
3,000
¥1.695
5085
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SIA923AEDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:7117
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
1:¥7.458
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.5086
参考库存:24732
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200/25A IGBT LPT TO-247
暂无价格
参考库存:24735
STD150N3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
2,500:¥7.0964
5,000:查看
参考库存:6475
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
2,500:¥3.2996
参考库存:6627
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