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晶体管
BSL802SNH6327XTSA1参考图片

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BSL802SNH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSL802SN H6327 SP001101012
商品其它信息
优势价格,BSL802SNH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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