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晶体管
FZT1047ATA参考图片

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FZT1047ATA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
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库存:7,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1302
51.302
100
¥3.2996
329.96
1,000
¥2.6442
2644.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
350 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT104
直流电流增益 hFE 最大值
280
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60 at 20 A, 2 V
Pd-功率耗散
2.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT1047ATA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:34030
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥14.2945
2,400:¥13.5261
4,800:¥13.0628
参考库存:34033
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34036
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34039
晶体管
MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
3,000:¥4.1923
6,000:¥3.9889
9,000:¥3.842
24,000:¥3.7177
参考库存:34042
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