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晶体管
SI2304BDS-T1-E3参考图片

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SI2304BDS-T1-E3

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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.8928
289.28
500
¥2.373
1186.5
3,000
¥1.6724
5017.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
SI2304BDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2304BDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:10341
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥7.5258
10:¥6.4862
100:¥4.9833
500:¥4.407
2,500:¥3.0849
10,000:查看
参考库存:5700
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:9308
晶体管
MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:7825
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:40987
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