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晶体管
DMMT5551S-7-F参考图片

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DMMT5551S-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
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10
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100
¥1.05316
105.316
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.69156
2074.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DMMT5551
高度
1.1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 50 mA, 5 V
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
30 mg
商品其它信息
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